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APTM50DSK10T3G

APTM50DSK10T3G

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产品介绍 2023-10-16 10:40
数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
37A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
120 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4367pF @ 25V
功率 - 最大值
312W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
商品其它信息
优势价格,APTM50DSK10T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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