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参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
，3A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
40 毫欧 @ ，
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
@
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
商品其它信息
优势价格，SI5515DC-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
