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APTSM120AM55CT1AG

APTSM120AM55CT1AG

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产品介绍 2023-12-21 12:31
数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V()
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
74A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
272nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5120pF @ 1000V
功率 - 最大值
470W
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
商品其它信息
优势价格,APTSM120AM55CT1AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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