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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
CoolMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道（双路降压斩波器）
FET 功能
超级结
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
49A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
45 毫欧 @ ，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
@ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7200pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
商品其它信息
优势价格，APTC60DSKM45T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
