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IPD250N06N3GBTMA1

IPD250N06N3GBTMA1

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产品介绍 2024-02-04 06:45
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参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
15nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
优势价格,IPD250N06N3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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