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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
85 毫欧 @ 4A，
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
@
Vgs（最大值）
@
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
310pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（"， 宽）
商品其它信息
优势价格，IRF1902GTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
