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参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
，
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
毫欧 @ ，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
18nC @
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（"， 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
优势价格，SI4511DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
