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QJD1210010

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产品介绍 2024-02-04 10:14
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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V()
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 100A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
500nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10200pF @ 800V
功率 - 最大值
1080W
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,QJD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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