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SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

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产品介绍 2024-02-04 10:39
数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
17 毫欧 @ ,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
17nC @
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
商品其它信息
优势价格,SI7940DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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