数据手册
- PDF资料下载
- 2N5639G PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
35V
漏源电压（Vdss）
30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
25mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
25mA @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10pF @ 12V（VGS）
电阻 - RDS（开）
60 Ohms
功率 - 最大值
310mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装
TO-92-3
商品其它信息
优势价格，2N5639G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
