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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 10A, 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
720pF @ 480V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
81W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN(8x8)
封装/外壳
4-PowerDFN
商品其它信息
优势价格,TPH3206LDB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。