数据手册
- PDF资料下载
- CPMF-1200-S080B PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
Z-FET™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@ 20V
Vgs(最大值)
+25V,-5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1915pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
313mW(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
优势价格,CPMF-1200-S080B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。