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DF23MR12W1M1B11BOMA1

DF23MR12W1M1B11BOMA1

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产品介绍 2023-07-30 17:47
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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
CoolSiC™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V()
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
45 毫欧 @ 25A, 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
620nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2000pF @ 800V
功率 - 最大值
20mW
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,DF23MR12W1M1B11BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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