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MV2N5114

MV2N5114

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产品介绍 2023-07-30 23:25
数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
军用,MIL-PRF-19500
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
30V
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
90mA @ 18V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
10V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
25pF @ 15V
电阻 - RDS(开)
75 Ohms
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装
TO-18(TO-206AA)
商品其它信息
优势价格,MV2N5114的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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